檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "Pad".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="化學機械平坦化"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
拋光墊的物性和表面性質會強烈的影響到平坦化加工的效果和效率。除了物性和表面性質外，拋光墊的溝槽設計亦是重要的一環。良好的溝槽圖案具有增進拋光液的利用率、調整拋光液層、排除平坦化後的殘餘物和調整拋光墊…
2
在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
3
CMP(Chemical-Mechanical Planarization)為化學機械平坦化製程被應用於IC製造。在半導體線寬縮減的迫切需求下，穩定性和可用性於CMP製程已成為非常重要的課題。然而目…
4
本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
5
在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
6
本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統，透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上，利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描，利用自製軟體分析其表面訊號，計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
7
本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽，並與玻璃黏合為一體之觀測模型，經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…
8
本研究透過自行開發與改良的彩色共軛焦量測系統進行修整製程中，拋光墊表面形貌的量測；此外透過拋光墊修整軌跡模擬軟體，評估拋光墊之修整均勻性。實驗方法為固定修整器轉速15, 40, 65rpm對於拋光盤…
9
化學機械平坦化/拋光（CMP）製程已被廣泛用於製造積體電路（IC)。為了使製造IC的成本降低，晶圓的尺寸越來越大，CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中，拋光墊表面形…
10
半導體為世上重大發明且與現代生活密不可分，隨著世代的進化變遷，不斷的追求微細化及線路層層堆疊而對於晶片的考驗也越來越嚴苛，全域平坦化表面將成為相當重要得關鍵技術。化學機械拋光/平坦化(Chemica…